碳化硅MOSFET分立器件適用于硬開關和諧振開關拓撲如功率因數校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器等。其抵御有害寄生導通效應的出色能力，樹立了低動態損耗方面的標桿，即使在橋接拓撲中的零伏關斷電壓下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列適用于工業領域，如工業電源，充電樁電源模組和不間斷電源（UPS）。

相比于硅材料，碳化硅材料的帶隙約是硅材料的三倍；單位面積阻隔電壓的能力（擊穿場強）約是硅的7倍；熱導率方面是硅的3倍之多（功率器件運行時不可避免地有損耗，產生熱量，能夠做到把較多的熱量導出來，代表了功率處理的能力比較強）；電子漂移速度是硅的2倍左右；因碳化硅材料卓越的物理特性，碳化硅二極管具備了杰出的耐高壓、高頻、高功率、耐高溫以及零反向恢復電荷等性能，使得650V和1200V的肖特基二極管非常適合應用在高頻和高效率電源系統。 森國科碳化硅二極管根據不同的應用需求完成了多種形式的封裝，從SMA到TO-247以及內絕緣的TO-220封裝，也可以與傳統Si器件直接做替換，為工程師們提供了極大的靈活性。

森國科IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。IGBT多被工程師們用來進行功率變換，以提高整體的用電效率和質量，因而在電力系統的傳輸、變換、配送、機車牽引、工業節能及智能電路控制系統等中高壓領域中較為常見，IGBT的出現也給產業解決能源短缺、降低碳排放的等問題提供了關鍵支撐技術之一。

森國科SJMOS ，采用多次外延的工藝，在8寸硅晶圓片生產制造。超結結構MOSFET在D端和S端排列多個垂直pn結的結構，其結果是在保持高電壓的同時實現了低導通電阻。超級結的存在大大突破了硅的理論極限，而且額定電壓越高，導通電阻的下降越明顯。