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碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET分立器件適用于硬開關和諧振開關拓撲如功率因數校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器等。其抵御有害寄生導通效應的出色能力,樹立了低動態損耗方面的標桿,即使在橋接拓撲中的零伏關斷電壓下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列適用于工業領域,如工業電源,充電樁電源模組和不間斷電源(UPS)。
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產品選型表
阻斷電壓
柵極電荷總數
封裝形式
額定電流
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產品SKU
規格書
阻斷電壓
柵極電荷總數
RDS(ON)在25℃
輸出電容
耗散功率
最高結溫
封裝形式
額定電流
KM040120-J
1200V
125nC
40mΩ
113PF
325W
150℃
TO-247-4L
60A
KM040120-R
1200V
125nC
40mΩ
113PF
150℃
TO-247-3L
60A
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碳化硅MOSFET |
一圖搞懂碳化硅——晶圓制造篇
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小,加工及測量設備越來越先進,使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時,特征尺寸的減小,使得晶圓加工時,空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大,而隨著潔凈的提高,顆粒數也出現了新的數據特點。
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