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AMB基板：碳化硅模塊封裝新趨勢
碳化硅作為新一代功率器件典型代表，具有高溫高頻特性，對于電池效率提升和成本降低都有明顯優勢。目前車用進展推進迅速，實際上除了芯片技術外，封裝技術也非常關鍵，新的封裝材料和新的封裝技術層出不窮。對于軌道交通、電動汽車用的高壓、大電流、高功率功率模塊來說，散熱和可靠性是其必須解決的關鍵問題。
碳化硅肖特基勢壘二極管的特征及與碳二極管的比較
SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高耐壓，要想提高Si-SBD的耐壓，需要增加Si-SBD漂移區厚度，減小摻雜濃度，但這會帶來阻值上升，VF升高導致損耗大幅增加不適合實際應用，因此Si-SBD一般是偏低壓的規格，而SiC擁有超過硅10倍的絕緣擊穿場強，保持了實際應用特性和可耐高壓的特性。
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