第三代功率半導體—值得信賴的力量
第三代半導體的明星產品碳化硅功率器件,隨著全球雙碳產業的蓬勃發展,在新能源汽車、風電、光伏、儲能、大功率工業電源產品中得到了廣泛的使用,隨著材料成本的逐年下降和產品良率的快速提升,碳化硅功率器件的成本也在快速的下降,反過來推動了碳化硅功率器件的應用范圍,包括家電變頻、LED商顯、手機筆電的快充頭都已經開始大規模的采用,隨著產業界對于電源轉換效率的不斷追求,碳化硅二極管和MOSFET已經成為了電力電子產品的最佳選擇。森國科作為碳化硅功率器件的龍頭企業,已經推出了性能覆蓋車規級、工業級的全系列的碳化硅二極管、MOSFET百余款產品,賦能雙碳和低碳。
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關于森國科
深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業從事碳化硅功率器件設計及銷售的國家高新科技企業,總部設在深圳?,F主營的第五代650V和1200V?TMPS(Thinned?MPS)?碳化硅二極管經過了市場的嚴格驗證,良率高達97%以上,實現了大規模量產。該系列SiC產品以其優于硅基產品的特性,可廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業電源、快充電源、軌道交通電源等多個應用領域。
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產品
碳化硅功率器件解決方案來幫助我們追求更高效、更健康、更環保的未來
應用
從多個與國民生活息息相關的場景中皆可看到碳化硅功率器件使用的身影
特色產品
MCU SPIN
MCU SPIN
SGK32G03x是SGKSPIN旗下的高性能32位運動控制預驅MCU,使用Cortex?-M0 為內核,最高工作頻率可達60MHz,內置32KB高速存儲器,多達26個GPIO;內置3.3V/5V輸出的LDO穩壓器、三組集成的P&N、N&N柵極驅動器;集成了 1 路12位的模數轉換器ADC、2路模擬比較器COMP、2路運算放大器OPAMP、1個 32位通用定時器、3個16位基本定時器、1個16位高級定時器;1個USART接口可作為UART或SPI通信。 本產品系列工作電壓最高可達28V,工作環境溫度范圍-40℃ ~ 105℃ 擴展型。。 本產品提供G031預驅P&N的QFN28和 G032預驅N&N的QFN32封裝。
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碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET分立器件適用于硬開關和諧振開關拓撲如功率因數校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器等。其抵御有害寄生導通效應的出色能力,樹立了低動態損耗方面的標桿,即使在橋接拓撲中的零伏關斷電壓下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列適用于工業領域,如工業電源,充電樁電源模組和不間斷電源(UPS)。
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碳化硅二極管
碳化硅二極管
相比于硅材料,碳化硅材料的帶隙約是硅材料的三倍;單位面積阻隔電壓的能力(擊穿場強)約是硅的7倍;熱導率方面是硅的3倍之多(功率器件運行時不可避免地有損耗,產生熱量,能夠做到把較多的熱量導出來,代表了功率處理的能力比較強);電子漂移速度是硅的2倍左右;因碳化硅材料卓越的物理特性,碳化硅二極管具備了杰出的耐高壓、高頻、高功率、耐高溫以及零反向恢復電荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二極管非常適合應用在高頻和高效率電源系統。 森國科碳化硅二極管根據不同的應用需求完成了多種形式的封裝,從SMA到TO-247以及內絕緣的TO-220封裝,也可以與傳統Si器件直接做替換,為工程師們提供了極大的靈活性。
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碳化硅二極管 |
碳化硅功率器件封裝關鍵技術
碳化硅器件的優良特性,需要通過封裝與電路系統實現功率和信號的高效、高可靠連接,才能得到完美展現,而現有的傳統封裝技術應用于碳化硅器件時面臨著一些關鍵挑戰。 碳化硅器件的結電容更小,柵極電荷低,因此,開關速度極快,開關過程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開關損耗顯著降低,但傳統封裝中雜散電感參數較大,在極高的 di/dt 下會產生更大的電壓過沖以及振蕩,引起器件電壓應力、損耗的增加以及電磁干擾問題。在相同雜散電容情況下,更高的dv/dt 也會增加共模電流。
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碳化硅二極管 |
AMB基板:碳化硅模塊封裝新趨勢
碳化硅作為新一代功率器件典型代表,具有高溫高頻特性,對于電池效率提升和成本降低都有明顯優勢。目前車用進展推進迅速,實際上除了芯片技術外,封裝技術也非常關鍵,新的封裝材料和新的封裝技術層出不窮。對于軌道交通、電動汽車用的高壓、大電流、高功率功率模塊來說,散熱和可靠性是其必須解決的關鍵問題。
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碳化硅MOSFET |
一圖搞懂碳化硅——晶圓制造篇
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小,加工及測量設備越來越先進,使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時,特征尺寸的減小,使得晶圓加工時,空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大,而隨著潔凈的提高,顆粒數也出現了新的數據特點。
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